Le principali differenze tra wafer di silicio monocristallino di tipo N e di tipo P per il solare fotovoltaico
Le principali differenze tra wafer di silicio monocristallino di tipo N e di tipo P per il solare fotovoltaico
I wafer di silicio monocristallino hanno le proprietà fisiche dei quasi metalli, con debole conduttività e la loro conduttività aumenta con l'aumentare della temperatura. Hanno anche proprietà semiconduttrici significative. Drogando wafer di silicio monocristallino ultrapuro con piccole quantità di boro, la conduttività può essere aumentata per formare un semiconduttore di silicio di tipo P. Allo stesso modo, il drogaggio con piccole quantità di fosforo o arsenico può anche aumentare la conduttività, formando un semiconduttore di silicio di tipo N. Quindi, quali sono le differenze tra wafer di silicio di tipo P e di tipo N?
Le principali differenze tra wafer di silicio monocristallino di tipo P e di tipo N sono le seguenti:
Dopante: nel silicio monocristallino, il drogaggio con fosforo lo rende di tipo N, mentre il drogaggio con boro lo rende di tipo P.
Conduttività: il tipo N conduce gli elettroni e il tipo P conduce le lacune.
Prestazioni: maggiore è la quantità di fosforo drogato in tipo N, maggiore è il numero di elettroni liberi, maggiore è la conduttività e minore la resistività. Più boro viene drogato in tipo P, più buchi vengono generati sostituendo il silicio, più forte è la conduttività e minore è la resistività.
Attualmente, i wafer di silicio di tipo P sono i prodotti principali nel settore fotovoltaico. I wafer di silicio di tipo P sono semplici da produrre e hanno costi bassi. I wafer di silicio di tipo N hanno in genere una durata di vita dei portatori minoritari più lunga e l'efficienza delle celle solari può essere aumentata, ma il processo è più complicato. I wafer di silicio di tipo N sono drogati con fosforo, che ha scarsa solubilità con il silicio. Durante la trafilatura, il fosforo non è distribuito uniformemente. I wafer di silicio di tipo P sono drogati con boro, che ha un coefficiente di segregazione simile al silicio e l'uniformità della dispersione è facile da controllare.